时间: 2024-08-09 04:56:29 | 作者: 旋转接头系列
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3月18日音讯，加州大学戴维斯分校物理学教授Sergey Savrasov在Nature Materials上宣布了一篇论文。称我国和加州大学戴维斯分校的研究人员制作了具有高导电率而又十分薄的铌砷层，这样一种资料被称为Weyl半金属。
Sergey Savrasov表明，这样一种资料在室温下的导电率约为铜的三倍。
更为奇特的是，该资料外表除了对电有杰出的传导性还因为拓扑效应极难吸收杂质，不易发生化学变化，这在某种程度上预示着该资料不会跟着使用时间变长而使导电性下降，有着极为宽广的半导体工业使用远景。
而因为杂质较少几近没有，所以电子不会在杂质中反弹和散射，因而电流在电路中所发出的热量也会大幅度下降，为制作更大规划的集成电路供给了根底条件。
这下那帮芯片工程师不必纠结几纳米的工艺制程而头疼了，不过这个技能刚刚面世，离实践使用还有适当远的间隔，需求我们耐性等待了。
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